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2N7002KT
72K(72K表示丝印) N沟道 耐压:60V 电流:340mA
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- 描述
- 电流:380mA 电压:60V
- 品牌名称
- CBI(创基)
- 商品型号
- 2N7002KT
- 商品编号
- C2840287
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
TFD130N04N将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON)，可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 单封装双芯片
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备和电池供电系统
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