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RSFD1702C
RSFD1702C
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- 描述
- RSFD1702C是一款高性能双工器，专为LTEBand3(1710-1785MHzUL,1805-1880MHzDL)应用设计。采用薄膜体声波谐振器(FBAR)技术，提供高Q值滤波器，满足低插入损耗、高带外衰减、高功率处理和严格的线性度要求。
- 品牌名称
- ROFS(诺思)
- 商品型号
- RSFD1702C
- 商品编号
- C2839252
- 商品封装
- SMD,1.4x1.8mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 双工器 | |
| 低频带衰减(Min) | 30dB | |
| 高频带衰减(Min) | 25dB | |
| 工作温度 | -20℃~+85℃ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 低频带范围 | 1710MHz~1785MHz | |
| 高频带范围 | 1805MHz~1880MHz | |
| 低频带插入损耗(Max) | 2.5dB | |
| 高频带插入损耗(Max) | 3.5dB |
商品概述
RSFD1702C是一款高性能双工器，专为LTE 3频段（1710 – 1785 MHz上行，1805 – 1880 MHz下行）应用而设计。 RSFD1702C采用薄膜体声波谐振器（FBAR）技术设计，该技术提供高Q值滤波器，满足低插入损耗、高带外衰减、高功率处理能力和严格线性度的要求。 RSFD1702C采用芯片级封装（CSP）技术，将滤波器组装成模压板上芯片模块，尺寸为1.8mm × 1.4mm，高度为0.61mm。
商品特性
- 超小尺寸1.8 mm×1.4mm×0.61 mm
- 低插入损耗
- 发射频段，1710 - 1785MHz：典型值1.5dB
- 接收频段，1805 - 1880MHz：典型值1.8dB
- 高隔离度
- 发射隔离度：典型值60dB
- 接收隔离度：典型值58dB
- 输入功率
- 在+55℃下，连续波+29 dBm可工作5000小时
- 单端（SE）50欧姆收发端口
- 存储温度：-40至+85℃