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CM12N65F实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CM12N65F

N沟道,电流:12A,耐压:650V

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描述
连接漏极电流(Id)(25℃时):12A,漏源电压(Vdss):650V,N沟道,应用于高频开关电源、电子镇流器
品牌名称
JD(晶导)
商品型号
CM12N65F
商品编号
C2839009
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.58克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))700mΩ@10V
耗散功率(Pd)60W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
输入电容(Ciss)1.993nF
反向传输电容(Crss)9.5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)160pF

数据手册PDF