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CM10N65F
650V N沟道MOSFET,电流:10A,耐压:650V
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- 描述
- 连接漏极电流(Id)(25℃时):10A,漏源电压(Vdss):650V,N沟道,应用于高频开关电源、电子镇流器
- 品牌名称
- JD(晶导)
- 商品型号
- CM10N65F
- 商品编号
- C2839008
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.993nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品特性
- 开关速度快
- 通态电阻小,输入电容小
应用领域
- 充电器
- LED驱动
- 电源适配器
- 各类功率开关电路
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