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CM4N65C
650V N沟道 MOSFET,电流:4A,耐压:650V
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- 描述
- 连接漏极电流(Id)(25℃时):4A,漏源电压(Vdss):650V,N沟道,应用于高频开关电源、电子镇流器
- 品牌名称
- JD(晶导)
- 商品型号
- CM4N65C
- 商品编号
- C2839000
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 470pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 开关速度快
- 通态电阻小, 输入电容小
应用领域
- LED驱动
- 电源适配器等各类功率开关电路
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