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GT016N10TL
N沟道 耐压:100V 电流:362A
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：330A 阈值电压(Vgs(th))：3.8V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：1.5mΩ@10V 封装：TOLL-8L
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT016N10TL
- 商品编号
- C28405277
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 362A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 450W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 165nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.037nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 585pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.782nF |
商品概述
GT016N10TL采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS 100V
- ID(VGS = 10 V 时)362A
- RDS(ON)(VGS = 10V 时)< 1.6mΩ
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-电源开关-DC/DC 转换器