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PJM10H01PSA
P沟道增强型功率MOSFET 1个P沟道 耐压:100V 电流:1A
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- 描述
- 特性：SOT-23。 快速开关。 低栅极电荷和RDS(on)。 VDS = -100V，ID = -1A时，RDS(on) < 650mΩ @VGS = -10V。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM10H01PSA
- 商品编号
- C2838029
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
20V/95A 导通电阻RDS(ON) = 2.6 mΩ（典型值），栅源电压VGS = 4.5V时 导通电阻RDS(ON) = 3.1 mΩ（典型值），栅源电压VGS = 2.5V时 导通电阻RDS(ON) = 4.4 mΩ（典型值），栅源电压VGS = 1.8V时 100%进行雪崩测试
- 可靠且耐用
- 有无卤器件可供选择
商品特性
- 20V/95A
- 导通电阻RDS(ON) = 2.6 mΩ（典型值），栅源电压VGS = 4.5V时
- 导通电阻RDS(ON) = 3.1 mΩ（典型值），栅源电压VGS = 2.5V时
- 导通电阻RDS(ON) = 4.4 mΩ（典型值），栅源电压VGS = 1.8V时
- 100%进行雪崩测试
- 可靠且耐用
- 有无卤器件可供选择
应用领域
-开关应用-DC/DC电源管理-电池保护