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PJM123NSA
1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
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- 描述
- 特性：表面贴装封装。 低RDS(ON)。 ESD保护（HBM）高达2KV。应用：开关应用。 小型伺服电机控制
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM123NSA
- 商品编号
- C2838028
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽双扩散金属氧化物半导体晶体管（DMOST）技术。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 表面贴装封装
- 低漏源导通电阻RDS(ON)
- 静电放电(人体模型)保护能力高达2KV
应用领域
- 开关应用
- 小型伺服电机控制
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