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UM6J1NTN
2个P沟道 耐压:30V 电流:200mA
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- 描述
- 特性：单个UMT封装中包含两个晶体管。 MOSFET元件相互独立，消除了相互干扰。 可将安装成本和面积降低一半。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- UM6J1NTN
- 商品编号
- C2837825
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 4pF |
商品特性
- 单个UMT封装内集成两个RSU002P03晶体管。
- MOSFET元件相互独立,可消除相互干扰。
- 可将安装成本和面积降低一半。
应用领域
- 开关应用
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