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STF33N60M2实物图
STF33N60M2商品缩略图
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STF33N60M2

1个N沟道 耐压:600V 电流:26A

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描述
N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-220FP封装
商品型号
STF33N60M2
商品编号
C2836687
商品封装
TO-220FP-3
包装方式
管装
商品毛重
2.71175克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)-
连续漏极电流(Id)26A
导通电阻(RDS(on))108mΩ@10V,13A
耗散功率(Pd)190W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)45.5nC@480V
输入电容(Ciss@Vds)1.781nF@100V
反向传输电容(Crss)2.5pF
工作温度-50℃~+150℃

数据手册PDF

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梯度
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1+¥8.28
10+¥7.65
50+¥7.25¥362.5
100+¥6.84¥342
500+¥6.66¥333
1000+¥6.58¥329

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