MX25L51245GZ2I-10G TR
3V、512Mbit CMOS MXSMIO(串行多I/O)闪存
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性:支持串行外设接口。 模式0和模式3。 单电源操作。 读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。 512Mb:536,870,912 x 1位结构或268,435,456 x 2位(双I/O模式)结构或134,217,728 x 4位(四I/O模式)结构。 协议支持:单I/O、双I/O和四I/O
- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX25L51245GZ2I-10G TR
- 商品编号
- C2834727
- 商品封装
- WSON-8-EP(6x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 512Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 166MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 50uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 750us | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品特性
- 支持串行外设接口 -- 模式0和模式3单电源操作
- 2.7至3.6伏用于读取、擦除和编程操作
- 512Mb:536,870,912×1位结构或268,435,456×2位(双I/O模式)结构或134,217,728×4位(四I/O模式)结构
- 协议支持 - 单I/O、双I/O和四I/O
- 从 -1V到Vcc + 1V的闩锁保护至100mA
- SPI模式下的快速读取 - 所有协议支持高达166MHz的时钟频率
- 支持快速读取、2READ、DREAD、4READ、QREAD指令
- 支持DTR(双传输速率)模式
- 快速读取操作可配置空周期数
- 可用的四外设接口(QPI)
- 每个扇区4K字节,或每个块32K字节或每个块64K字节 - 任何块都可以单独擦除
- 编程:
- 256字节页缓冲区
- 四输入/输出页编程(4PP)以提高编程性能
- 典型的100,000次擦除/编程周期
- 20年数据保留
- 输入数据格式:
- 1字节命令代码
- 高级安全功能:
- 块锁定保护
- BP0 - BP3和T/B状态位定义要防止编程和擦除指令的区域大小
- 高级扇区保护功能(固态和密码保护)
- 额外的4K位安全OTP:
- 具有唯一标识符
- 工厂锁定可识别,客户可锁定
- 命令复位
- 编程/擦除暂停和恢复操作
- 电子识别:
- JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID
- RES命令用于1字节设备ID
- REMS命令用于1字节制造商ID
其他推荐
- MAX14736EWL+T
- K4A8G165WC-BCRC
- CSD01MT2R7254MC02YT-M
- CSD01MT2R7105MC04YT-M
- CSD01MT2R7205MC04YT-M
- CSD01MT2R7305MC05YT-M
- HYG210P06LQ1D
- E01-2G4M20S1B
- PM254V-12-08-H85
- 全国大学生电子设计竞赛备赛指南与案例分析—基于立创EDA
- SI24R2F
- MS8413
- TS-1095KD-A15B3-D2
- TS-1095KD-A16B3-D2
- TS-1095KD-A17B3-D2
- TS-1095KD-A18B3-D2
- TS-1095KD-A19B3-D2
- TS-1095KD-A20B3-D2
- TS-1095KD-A205B3-D2
- TS-1095KD-A21B3-D2
- TS-1095KS-A15B3-C2D2
