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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.98W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.49nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 492pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 54pF |
商品特性
- 专有的先进平面技术
- 高密度超低电阻设计
- 大功率、大电流应用
- 理想的锂电池应用
- 封装形式:SOT23-6