S29GL128S10TFI020
GL-S闪存
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- 描述
- 采用65纳米制程技术制造。这些设备提供了快速的页面访问时间,最快可达15 ns,相应的随机访问时间最快可达90 ns。它们具有一个写缓冲区,允许在一次操作中最多编程256个字/512字节,比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
- 商品型号
- S29GL128S10TFI020
- 商品编号
- C2832244
- 商品封装
- TSOP-56-18.5mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 3.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | 128Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 5MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 100uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;ECC纠错;软件写保护;上电复位;电源锁定保护 |
- S29GL512T10TFI010
- S29AL016J70TFI010
- BSC035N10NS5
- CY9AF1A2LPMC-G-UNE2
- F1006VS-ZV-20-34T-R
- F1006VS-ZV-30-34T-R
- F0502-B-20-10G-R
- MF200V-11-03-0740
- MF200V-11-04-0740
- MF200V-11-05-0740
- MF200V-12-04-0740
- MF200V-12-08-0740
- MF200V-12-10-0740
- MF200V-12-06-0590
- PM127V-12-08-H34
- M3025V-1x8P
- P3025-1x8P
- M2557V-2x2-N0
- M2557V-2x3-N0
- M2557R-2x02-N0
- M2557R-2x3-N0


