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IPDQ60R007CM8XTMA1
600V CoolMOs CM8功率晶体管
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- 描述
- 第8代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），具有出色的抗硬换向能力和出色的ESD性能。此外，CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPDQ60R007CM8XTMA1
- 商品编号
- C28143577
- 商品封装
- HDSOP-22
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.866667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 288A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.249kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 370nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16.385nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 192pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 凭借出色的换向鲁棒性,适用于硬开关和软开关拓扑
- 显著降低开关和传导损耗
- 超低的RDS(on)*A使每个封装产品的RDS(on)达到同类最佳
应用领域
-电源和转换器-PFC级和LLC谐振转换器-高效开关应用 例如:服务器、电信、电动汽车充电、UPS
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