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IMZA75R008M1HXKSA1引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IMZA75R008M1HXKSA1

硅碳化物MOSFET,提供高性能、高可靠性和易用性,适用于高温和恶劣环境

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商品型号
IMZA75R008M1HXKSA1
商品编号
C28122003
商品封装
PG-TO-247-4​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
配置-
漏源电压(Vdss)750V
连续漏极电流(Id)163A
耗散功率(Pd)517W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5.6V
栅极电荷量(Qg)178nC
输入电容(Ciss)6.137nF
反向传输电容(Crss)37pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)510pF
导通电阻(RDS(on))10.6mΩ

商品特性

  • 高度稳健的750V技术,100%经过雪崩测试
  • 业界领先的R_DS(on) × Q_fr
  • 优异的R_DS(on) × Q_oss和R_DS(on) × Q_G
  • 低C_rss / C_iss与高V_GS(th)的独特组合
  • 专有的芯片贴装技术
  • 提供驱动源引脚
  • 业界领先的R_DS(on)

应用领域

  • 电动汽车充电基础设施
  • 太阳能光伏逆变器
  • UPS
  • 储能与电池化成
  • 电信与服务器开关电源

数据手册PDF