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2N7002KS6
双N沟道MOSFET,电流:250mA,耐压:60V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- 2N7002KS6
- 商品编号
- C2828510
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
采用SOT-363塑料封装的双N沟道MOSFET。
商品特性
- 栅极触发电流灵敏,保持电流低。
- 具备ESD保护二极管。
- ESD等级:2200V HBM
应用领域
- 适用于通用开关和相位控制应用。