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SSM6J771G,LF(S
P沟道 20V 5A
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- 描述
- 特性：高栅源电压：±12V。 高漏源电压：-20V。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 26mΩ（典型值）(@VGS = -4.5V, ID = -3.0A)；RDS(ON) = 24mΩ（典型值）(@VGS = -8.0V, ID = -3.0A)；RDS(ON) = 23mΩ（典型值）(@VGS = -8.5V, ID = -3.0A)。应用：BATFETs电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6J771G,LF(S
- 商品编号
- C27888883
- 商品封装
- WCSP-6C
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@8.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品特性
- 高栅源电压(VGSS):± 12 V
- 高漏源电压(VDSS):-20 V
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 26 mΩ(典型值)(@ VGS = - 4.5 V,ID = - 3.0 A)
- RDS(ON) = 24 mΩ(典型值)(@ VGS = - 8.0 V,ID = - 3.0 A)
- RDS(ON) = 23 mΩ(典型值)(@ VGS = - 8.5 V,ID = - 3.0 A)
应用领域
- 电池场效应晶体管(BATFETs)
- 电源管理开关