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NTMFS1D3N04XMT1G
40V, 1.3mΩ, 195A N沟道单功率MOSFET
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- 描述
- 特性：低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低电容，以最小化驱动损耗。 小尺寸（5×6mm），设计紧凑。 这些器件无铅、无卤素/BFR，符合RoHS标准。应用：电机驱动。 电池保护
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS1D3N04XMT1G
- 商品编号
- C27869249
- 商品封装
- DFN-5(5x6)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 195A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38.5nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.473nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.763nF |
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