- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GANE3R9-150QBAZ
增强型常关氮化镓场效应晶体管，超薄四边扁平无引线封装
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- GANE3R9-150QBAZ
- 商品编号
- C27780019
- 商品封装
- QFN-25(6x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.5pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 900pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ |
商品概述
GANE3R9-150QBA 是一款通用型 150 V、3.9 mΩ 氮化镓场效应晶体管，采用超薄四边扁平无引线封装。它是一款常关型增强模式器件，提供卓越的性能和极低的导通电阻。
商品特性
- 增强模式 - 常关型功率开关
- 超高频率开关能力
- 无体二极管
- 低栅极电荷，低输出电荷
- 符合标准应用认证
- 符合 RoHS、无铅、REACH 标准
- 高效率和高功率密度
- 超薄四边扁平无引线封装，尺寸为 4.0 mm × 6.0 mm
应用领域
- 高功率密度和高效率电源转换
- AC-DC 转换器
- 48 V 系统中的高频 DC-DC 转换器
- 快速电池充电、手机、笔记本电脑、平板电脑和 USB Type-C 充电器
- 数据通信和电信转换器