BGS12WN6E6329XTSA1
BGS12WN6E6329XTSA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BGS12WN6E6329XTSA1
- 商品编号
- C27749420
- 商品封装
- DFN-6(0.7x1.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 电路结构 | 单刀双掷 | |
| 频率 | 50MHz~9GHz | |
| 隔离度 | 16dB | |
| 插入损耗 | 2dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| P1dB | - | |
| 工作电压 | 1.65V~3.6V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | - |
商品概述
该射频CMOS开关专为超宽带、无线局域网和蓝牙应用而设计。两个端口中的任何一个都可用作分集天线的终端，处理功率高达26 dBm。芯片集成了片载CMOS逻辑，由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。与砷化镓技术不同，仅当外部施加直流电压时才需要在射频端口外接直流隔直电容。该射频开关采用英飞凌专利的MOS技术制造，在提供砷化镓性能的同时，兼具传统CMOS的经济性和集成度，包括固有的更高ESD鲁棒性。器件尺寸非常小，仅为0.7×1.1 mm²，最大高度为0.375 mm。
商品特性
- 适用于无线局域网、蓝牙和超宽带应用
- 快速开关速度
- 射频CMOS单刀双掷天线分集开关，功率处理能力高达26 dBm
- 低插入损耗和高端口间隔离度，频率范围高达9 GHz
- 0.05至9 GHz覆盖范围
- 高端口间隔离度
- 如果射频线路上未施加直流电压，则无需隔直电容
- 片载控制逻辑
- 无引线且无卤素封装PG-TSNP-6-10/-8/-2，横向尺寸为0.7×1.1 mm²，最大高度为0.375 mm
- 无需电源去耦电容
- 高电磁干扰鲁棒性
- 符合RoHS和WEEE标准的封装
- 高线性度，输入功率高达26 dBm
- 低电流消耗
- 超薄型无引线塑料封装
应用领域
- 超宽带应用
- 无线局域网应用
- 蓝牙应用