H5AN8G6NCJR-VKC
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- 描述
- 是 8Gb CMOS 双数据速率 IV (DDR4) 同步动态随机存取存储器 (SDRAM),非常适合需要大存储密度和高带宽的主存储器应用。提供完全同步操作,参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在 CK 的上升沿锁存,数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿采样。数据路径内部流水线化并进行 8 位预取,以实现非常高的带宽。
- 品牌名称
- HYNIX(海力士)
- 商品型号
- H5AN8G6NCJR-VKC
- 商品编号
- C2803261
- 商品封装
- FBGA-96
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1.392克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | SDRAM DDR4 | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作电压 | 1.14V~1.26V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 45mA | |
| 刷新电流 | 28mA | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ |
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