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MX66L1G45GMI-08G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MX66L1G45GMI-08G

3V、1Gb 容量,CMOS 工艺的 MXSMIO(串行多输入输出)闪存

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描述
特性:支持串行外设接口。Mode 0和Mode 3。单电源操作。读写和擦除操作电压为2.7至3.6伏。协议支持:单I/O、双I/O和四I/O。从-1V到Vcc +1V的闩锁保护至100mA
品牌名称
MXIC(旺宏电子)
商品型号
MX66L1G45GMI-08G
商品编号
C2802774
商品封装
SOIC-16-300mil​
包装方式
托盘
商品毛重
0.5725克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量1Gbit
时钟频率(fc)166MHz
工作电压2.7V~3.6V
待机电流-
擦写寿命100000次
属性参数值
写周期时间(Tw)-
页写入时间(Tpp)3ms
块擦除时间(tBE)-
数据保留 - TDR(年)20年
工作温度-40℃~+85℃
功能特性硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护

商品概述

MX66L1G45G是1Gb位串行NOR闪存,内部配置为134,217,728×8。在双I/O或四I/O模式下,结构变为536,870,912位×2或268,435,456位×4。单I/O模式下可在简单3线总线上操作,三个总线信号为SCLK、SI、SO,通过CS#使能串行访问。双I/O读取模式下SI和SO变为SIO0和SIO1;四I/O读取模式下SI、SO、WP#和NC变为SIO0、SIO1、SIO2和SIO3。支持全芯片顺序读取。发出编程/擦除命令后,自动编程/擦除算法对指定页或扇区/块位置进行编程/擦除并校验。编程按字节、页(256字节)或字执行;擦除按4K字节扇区、32K字节块、64K字节块或整个芯片执行。包含状态寄存器指示芯片状态,可通过WIP位检测编程或擦除完成状态。器件未操作且CS#为高时保持待机模式。采用专有存储单元,在100,000次编程和擦除循环后仍能保存存储内容。

商品特性

  • 单电源供电:读、擦、写操作电压2.7V至3.6V。
  • 支持串行外设接口模式0和模式3;支持单I/O、双I/O和四I/O。
  • 支持DTR双倍传输速率模式;时钟频率至166MHz。
  • 支持快速读取、2READ、DREAD、4READ、QREAD;快速读取可配置空周期数。
  • 支持性能增强模式XIP(就地执行);具备四外设接口QPI读写模式,支持EQIO使能和RSTQIO复位。
  • 存储组织:均匀4K字节扇区,或均匀32K字节块或64K字节块;任意块可单独擦除。
  • 编程:256字节页缓冲;四输入/输出页编程4PP。
  • 典型100,000次擦除/编程循环;20年数据保持。
  • 输入数据格式:1字节命令码。
  • 块锁定保护:BP0-BP3和T/B状态位定义受保护区域大小,防止编程和擦除。
  • 增强型扇区保护功能(固化保护和密码保护)。
  • 额外4K位安全OTP:具有识别标识;可识别工厂锁定,并可由客户锁定。
  • 命令复位:编程/擦除挂起和恢复操作。
  • 电子识别:JEDEC1字节制造商ID和2字节器件ID;RES命令用于1字节器件ID;REMS命令用于1字节制造商ID和1字节器件ID;QPIID读取器件ID和制造商ID。
  • 支持串行闪存可发现参数SFDP模式。
  • 硬件引脚:SCLK串行时钟输入;SI/SIO0串行数据输入或2×I/O、4×I/O读取时的数据输入/输出;SO/SIO1串行数据输出或2×I/O、4×I/O读取时的数据输入/输出;WP#/SIO2硬件写保护或4×I/O读取时的数据输入/输出;NC/SIO3无连接或4×I/O读取时的数据输入/输出;RESET#硬件复位引脚。

数据手册PDF

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