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STW45N65M5
N沟道 耐压:650V 电流:35A
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- 描述
- N沟道650 V、0.067 Ohm典型值、35 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW45N65M5
- 商品编号
- C2798217
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 210W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.47nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF |
商品概述
全新的MDmesh M6技术融合了最新的技术进步，应用于知名且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列产品。它将出色的单位面积导通电阻（RDS(on)）改善与高效的开关性能相结合，为终端应用提供最高效率的用户体验。
商品特性
- 全球最佳的导通电阻(RDS(on))与面积乘积
- 更高的漏源击穿电压(VDSS)额定值和高电压变化率(dv/dt)能力
- 出色的开关性能
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 开关应用
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