23AA04M-I/SN
4-Mbit SPI/SDI/SQI 143Mhz 串行 RAM 带可选电池备份
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- 描述
- 是一款4 Mbit串行SRAM设备,通过简单的SPI兼容串行总线访问内存。所需的总线信号包括时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线。通过片选(CS)输入控制对设备的访问。此外,如果应用需要更高的数据速率,还支持SDI(串行双接口)和SQI(串行四接口)。该设备还支持对存储阵列进行无限次读写。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- 23AA04M-I/SN
- 商品编号
- C27585175
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 工作电压 | 1.7V~3.6V | |
| 读写时间 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 20mA;6mA | |
| 待机电流 | 140uA | |
| 功能特性 | 内置ECC功能 |
商品概述
Microchip Technology Inc. 的 23XX04M 是一款 4-Mbit 串行 SRAM 器件。该存储器通过一个简单的串行外设接口兼容串行总线进行访问。所需的总线信号包括时钟输入以及独立的数据输入和数据输出线路。通过片选输入控制对器件的访问。此外,如果您的应用需要更高的数据速率,还支持串行双接口和串行四接口。该器件还支持对存储器阵列进行无限次读写。
商品特性
- 4,096-Kbit 低功耗 SRAM
- 单电压读写操作:1.7V 至 3.6V 或 2.2V 至 3.6V
- 串行接口架构:兼容 SPI 模式 0 和模式 3,支持 SDI 和 SQI
- 高速时钟频率:143 MHz
- 高可靠性:内置纠错码逻辑
- 低功耗:SPI/SDI/SQI 模式下的最大工作读取电流为 6 mA,典型待机电流为 140 μA
- 无限次读写周期
- 支持外部电池备份
- 零写入时间
- 组织结构:256 x 8 位,用户可选页面大小
- 支持字节、页面和顺序读写模式
- 支持工业级温度范围:-40℃ 至 +85℃
- 符合 RoHS 标准,无卤素



