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23AA04M-I/SN

4-Mbit SPI/SDI/SQI 143Mhz 串行 RAM 带可选电池备份

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描述
是一款4 Mbit串行SRAM设备,通过简单的SPI兼容串行总线访问内存。所需的总线信号包括时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线。通过片选(CS)输入控制对设备的访问。此外,如果应用需要更高的数据速率,还支持SDI(串行双接口)和SQI(串行四接口)。该设备还支持对存储阵列进行无限次读写。
商品型号
23AA04M-I/SN
商品编号
C27585175
商品封装
SOIC-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.38克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型SPI
存储容量4Mbit
工作电压1.7V~3.6V
读写时间-
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流20mA;6mA
待机电流140uA
功能特性内置ECC功能

商品概述

Microchip Technology Inc. 的 23XX04M 是一款 4-Mbit 串行 SRAM 器件。该存储器通过一个简单的串行外设接口兼容串行总线进行访问。所需的总线信号包括时钟输入以及独立的数据输入和数据输出线路。通过片选输入控制对器件的访问。此外,如果您的应用需要更高的数据速率,还支持串行双接口和串行四接口。该器件还支持对存储器阵列进行无限次读写。

商品特性

  • 4,096-Kbit 低功耗 SRAM
  • 单电压读写操作:1.7V 至 3.6V 或 2.2V 至 3.6V
  • 串行接口架构:兼容 SPI 模式 0 和模式 3,支持 SDI 和 SQI
  • 高速时钟频率:143 MHz
  • 高可靠性:内置纠错码逻辑
  • 低功耗:SPI/SDI/SQI 模式下的最大工作读取电流为 6 mA,典型待机电流为 140 μA
  • 无限次读写周期
  • 支持外部电池备份
  • 零写入时间
  • 组织结构:256 x 8 位,用户可选页面大小
  • 支持字节、页面和顺序读写模式
  • 支持工业级温度范围:-40℃ 至 +85℃
  • 符合 RoHS 标准,无卤素

数据手册PDF

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