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STGSH80HB65DAG
商品参数
参数完善中
商品概述
该器件将两个IGBT和二极管以半桥拓扑结构组合在一起，安装在紧凑且坚固的易表面贴装封装中。该器件属于HB系列IGBT，其导通和开关损耗均针对软换向进行了优化。每个开关都包含一个低正向压降的续流二极管，旨在为任何谐振和软开关应用最大化效率。
商品特性
- AQG324认证
- 高速开关系列
- 最大结温：175℃
- 低VCE(sat)=1.7V（典型值@Ic=80A）
- 最小化尾电流
- 参数分布紧密
- DBC基板带来低热阻
- VCE(sat)正温度系数
- 软且快速恢复的反并联二极管
- 隔离等级3.4kVrms/min
应用领域
- 电动汽车/混合动力汽车（EV/HEV）用DC/DC转换器
- 车载充电器（OBC）