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2N7002
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.2A
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- 描述
- MOSFET,N-channel 60V/20V 0.2A VGS(th)=1V 7.5Ω（MAX)0,SOT-23
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- 2N7002
- 商品编号
- C306856
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 60V/0.2A，在VGS = 10V、Id = 0.5A条件下，RDS(ON) = 7.5Ω（最大值）
- 在VGS = 5V、Id = 0.05A条件下，RDS(ON) = 7.5Ω（最大值）
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 可靠耐用
- 采用SOT - 23表面贴装封装