温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2SD2150T100R
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 120@0.1A,2V | |
| 特征频率(fT) | 290MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
售价
折合1圆盘
5+￥1.3579
50+￥1.0597
150+￥0.932
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
60
江苏仓
5
购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 5 个 )个
起订量：5 个1000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单