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- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
B3221XM3BDGVI-U
低功耗DRAM（LPDDR4x FBGA），支持多刷新模式、双数据速率架构和双向差分数据选通
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- 描述
- IC DRAM 32GBIT PAR 200FBGA
- 品牌名称
- Kingston(金士顿)
- 商品型号
- B3221XM3BDGVI-U
- 商品编号
- C27284740
- 商品封装
- FBGA-200(10x14.5)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4X SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 32Gbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V；1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |
商品概述
低功耗DRAM（LPDDR4x FBGA）
芯片密度：16Gbits 组织架构：
- x 16位：128M字x 16位x 8个存储体
- 一个封装中有2个16Gb（x16）芯片（适用于32Gb情况） 行地址：R0 ~ R16 列地址：C0 ~ C9 封装：200球FBGA 电源：
- VDD1 = 1.80V（1.70 - 1.95V）
- VDD2 = 1.10V（1.06 - 1.17V）
- VDDQ = 0.60V（0.57 - 0.65V） 数据速率：
- 最大4266Mbps，向后兼容 每个通道有8个内部存储体用于并发操作
- 突发长度（BL）：16、32和动态调整
- 动态调整模式通过MRS启用
- 可编程读取延迟（RL）和写入延迟（WL）
- 预充电：每次突发访问可选择自动预充电 可编程驱动强度 刷新：自动刷新、自刷新 刷新周期：8192周期/32ms - 平均刷新周期：3.9μs 工作温度范围：
- TC = -25°C到+85°C
商品特性
- 低功耗
- 按存储体刷新
- 部分阵列自刷新（PASR）
- 存储体屏蔽
- 分段屏蔽
- 通过内置温度传感器实现自动温度补偿自刷新（ATCSR）
- 支持所有存储体自动刷新和按存储体定向自动刷新
- 双倍数据速率架构；每个时钟周期进行两次数据传输
- 差分时钟输入（CK_t和CK_c）
- 双向差分数据选通（DQS_t和DQS_c）
- 在CK_t的上升沿和下降沿都可输入命令；数据和数据掩码参考DQS_t的两个边沿
- DMI引脚支持写数据屏蔽和DBIdc功能
- 设备寻址