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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BR8205

2个N沟道 耐压:20V 电流:6A

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描述
SOT23-6 塑封封装N 沟道双MOS 管。
商品型号
BR8205
商品编号
C305455
商品封装
SOT-23-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.038克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1.14W
阈值电压(Vgs(th))1.2V@250uA
属性参数值
输入电容(Ciss)1.035nF@20V
反向传输电容(Crss)150pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)320pF

商品概述

SOT23-6 塑封封装N 沟道双MOS 管。N-channel Double MOSFET in a SOT23-6 Plastic Package.

商品特性

  • 采用先进的沟槽技术,提供较小的导通电阻RDS(on),低栅极电荷,栅极工作电压低至 2.5V。
  • advanced trench technology to provide excellent RDS(on), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V.

应用领域

  • 适用于电池保护电路,开关电路。
  • Use as a Battery protection , Switching application.

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 10 个)
起订量:10 个3000个/圆盘

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