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SQS174ELNW-T1-GE3实物图
  • SQS174ELNW-T1-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SQS174ELNW-T1-GE3

N沟道 72V 87A

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描述
特性:TrenchFET Gen IV power MOSFET。AEC-Q101 qualified。100% Rg和UIS测试。可焊侧翼端子。0.75mm外形低热阻
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SQS174ELNW-T1-GE3
商品编号
C27162878
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)72V
连续漏极电流(Id)87A
导通电阻(RDS(on))3.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)103W
阈值电压(Vgs(th))1.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)46nC@10V
输入电容(Ciss)2.623nF
反向传输电容(Crss)67pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)502pF

商品特性

  • TrenchFET第四代功率MOSFET
  • 通过AEC-Q101认证
  • 100%进行Rg和UIS测试
  • 可焊侧翼端子
  • 0.75mm厚度,低热阻
  • 符合RoHS标准
  • 无卤

数据手册PDF