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BSS138
50V/0.34A N沟道先进功率MOSFET
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- 描述
- 特性：Trench Power MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。应用：电池供电系统。 固态继电器
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- BSS138
- 商品编号
- C27140738
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.066克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@4.5V；1.29Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 32pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7pF |
商品概述
GT130N10K采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 电压控制小信号开关
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
应用领域
- 电池供电系统
- 固态继电器
- 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS