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HY5608W
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:80V 电流:360A
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- 描述
- 特性：80V/360A，RDS(ON) = 1.5 mΩ (典型值) @ VGS = 10 V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY5608W
- 商品编号
- C2760540
- 商品封装
- TO-247A-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 360A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 365nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.715nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 853pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.714nF |
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