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NTH4L030N120M3S
碳化硅（SiC）MOSFET
- 描述
- 特性：Typ. RDS(on) = 29 mΩ @ VGS = 18 V。 Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 107 nC)。 High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 106 pF)。应用：Solar Inverters
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTH4L030N120M3S
- 商品编号
- C27069755
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 73A | |
| 耗散功率(Pd) | 313W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 107nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.43nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 106pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ |