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CPC3703CTR
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 327pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 27pF@25V |
商品概述
一款采用专有第三代垂直 DMOS 工艺的 N 沟道耗尽型场效应晶体管（FET）。第三代工艺通过经济的硅栅工艺实现了高压 MOSFET 性能。垂直 DMOS 工艺生产出的器件性能稳定、输入阻抗高，适用于高功率应用。该器件在需要低漏源电阻的功率应用中表现出色，尤其适用于汽车点火模块等寒冷环境。在 25°C 时，其最大导通电阻低至 4Ω。最小击穿电压为 250V，采用 SOT - 89 封装。与所有 MOS 器件一样，该 FET 结构可防止热失控和热致二次击穿。
商品特性
- 高击穿电压：250V
- 低导通电阻：25°C 时最大 4Ω
- 低 VGS(off) 电压：-1.6 至 -3.9V
- 耗尽型器件在低温下提供低 RDS(on)
- 高输入阻抗
- 小封装尺寸：SOT - 89
应用领域
- 点火模块-常开开关-固态继电器-转换器-电信-电源