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LGE3M35120Q
碳化硅功率MOSFET，高阻断电压、高频运行、低导通电阻、快速本征二极管
- 品牌名称
- LGE(鲁光)
- 商品型号
- LGE3M35120Q
- 商品编号
- C27035429
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 69A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 135nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 128pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ |
商品特性
- 高阻断电压
- 高频操作
- 低导通电阻
- 具有低反向恢复的快速本征二极管
- 100%雪崩测试
应用领域
- 电机驱动
- 太阳能/风力逆变器
- 电动汽车充电站
- AC/DC转换器
- DC/DC转换器
- 不间断电源