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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CS3N150 AHR是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管，该技术可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 3P(H)，符合RoHS标准。
商品特性
- 100%雪崩能量耐量(EAS)保证
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的dv/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。