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GD25LQ80EEIGR引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GD25LQ80EEIGR

统一扇区双路和四路串行闪存,具备高速时钟频率、低功耗、先进安全特性,支持XiP操作

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商品型号
GD25LQ80EEIGR
商品编号
C26970095
商品封装
USON-8(2x3)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量8Mbit
时钟频率(fc)133MHz
工作电压1.65V~2V
待机电流10uA
擦写寿命100000次
属性参数值
写周期时间(Tw)-
页写入时间(Tpp)400us
块擦除时间(tBE)200ms@(64KB)
数据保留 - TDR(年)20年
工作温度-40℃~+85℃
功能特性硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护

商品概述

GD25LQ80E(8M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为266Mbit/s,四I/O数据传输速度为532Mbit/s。

商品特性

  • 8M位串行闪存
  • 1024K字节
  • 每个可编程页256字节
  • 支持标准、双、四SPI和QPI
  • 标准SPI:SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#
  • 双SPI:SCLK、CS#、IO0、IO1、WP#、HOLD#
  • 四SPI:SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3
  • QPI:SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3
  • 高速时钟频率
  • 快速读取时可达133MHz
  • 双I/O数据传输速度高达266Mbit/s
  • 四I/O数据传输速度高达532Mbit/s
  • QPI模式数据传输速度高达532Mbit/s
  • 软件/硬件写保护
  • 可通过软件对全部或部分内存进行写保护
  • 可通过WP#引脚启用/禁用保护
  • 顶部/底部块保护
  • 耐用性和数据保留
  • 至少100,000次编程/擦除循环
  • 典型20年数据保留
  • 支持就地执行(XiP)操作
  • 高速读取可减少整体XiP指令提取时间
  • 带环绕的连续读取可进一步减少数据延迟以填充SoC缓存
  • 快速编程/擦除速度
  • 页编程时间:典型0.4ms
  • 扇区擦除时间:典型40ms
  • 块擦除时间:典型0.15s/0.2s
  • 芯片擦除时间:典型2.2s
  • 灵活架构
  • 统一4K字节扇区
  • 统一32/64K字节块
  • 低功耗
  • 典型待机电流10μA
  • 典型深度掉电电流1μA
  • 先进安全特性
  • 每个设备具有128位唯一ID
  • 串行闪存可发现参数(SFDP)寄存器
  • 带OTP锁的3x1024字节安全寄存器
  • 单电源电压
  • 全电压范围:1.65 - 2.0V
  • 封装信息
  • SOP8 150mil
  • SOP8 208mil
  • USON8(3×2mm,0.45mm厚度)
  • WSON8(6×5mm)

数据手册PDF