G3VM-41GR8

更高的功率，1A开关，采用SOP封装。低至100毫欧的导通电阻。

连续负载电流为1A。 导通电阻为0.1Ω（典型值），可以抑制输出信号衰减。

应用示例：

• 半导体测试设备
• 测试与测量设备
• 通信设备
• 数据记录仪
• 娱乐设备

型号列表：

• 封装类型：SOP4
• 接触形式：1a (SPST-NO)
• 端子：表面贴装端子
• 负载电压（峰值）：40V
• 型号：G3VM-41GR8
• 最小包装数量：100（每管数量），2,500（每卷带和卷盘数量）

绝对最大额定值 (Ta=25℃)：

• LED正向电流：IF = 30 mA
• LED正向电流减少率：△IF/℃ = -0.3 mA/℃ (Ta≥25℃)
• LED反向电压：VR = 5 V
• 连接温度：TJ = 125 ℃
• 负载电压（交流峰值/直流）：VOFF = 40 V
• 连续负载电流（交流峰值/直流）：IO = 1000 mA
• 导通电流减少率：△IO/℃ = -13.3 mA/℃ (Ta≥50℃)
• 输入输出之间的介电强度：VI-O = 1500 Vrms（交流1分钟）
• 环境工作温度：Ta = -40 至 +85 ℃（无结冰或冷凝）
• 环境存储温度：-55 至 +125 ℃（无结冰或冷凝）
• 焊接温度：260 ℃（10秒）

电气特性 (Ta=25℃)：

• LED正向电压：VF = 1.18 至 1.48 V (IF = 10 mA)
• 反向电流：IR ≤ 10 μA (VR=5V)
• 端子间的电容：CT ≈ 70 pF (V=0, f=1 MHz)
• 触发LED正向电流：IFT = 1.0 至 3 mA (IO = 100 mA)
• 输出导通时的最大电阻：RON ≈ 0.1 至 0.13 Ω (IF = 5 mA, IO = 1 A)
• 继电器断开时的漏电流：ILEAK ≤ 1 nA (VOFF=30V)
• 端子间的电容：Coff ≈ 300 pF (V=0, f=1 MHz)
• 输入输出端子间的电容：CI-O ≈ 0.8 pF (f = 1 MHz, Vs = 0 V)
• 输入输出端子间的绝缘电阻：RI-O ≥ 1000 MΩ (VI-O=500VDC, RoH≤60%)
• 导通时间：tON ≈ 1.2 至 3.0 ms (IF = 5 mA, RL= 200 Ω)
• 关断时间：tOFF ≈ 0.2 至 0.5 ms (VDD=20V)

推荐的工作条件：

• 负载电压（交流峰值/直流）：VDD ≤ 32 V
• 工作LED正向电流：IF = 5 至 20 mA
• 连续负载电流（交流峰值/直流）：IO ≤ 1000 mA
• 环境工作温度：Ta = 25 至 60 ℃

• 半导体测试设备
• 测试与测量设备
• 通信设备
• 数据记录仪
• 娱乐设备