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MCG60N06YHE3-TP
N沟道 耐压:60V 电流:60A
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- 描述
- 特性：AEC-Q101 合格。 分裂栅沟槽 MOSFET 技术。 高密度单元设计，实现超低 RDS(on)。 湿度敏感度等级 3。 无卤“绿色”器件。 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。 无铅表面处理/RoHS 合规
- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- MCG60N06YHE3-TP
- 商品编号
- C26691506
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1277克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.4mΩ@4.5V；4.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.666nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |