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G080N06K实物图
  • G080N06K商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

G080N06K

耐压:60V 电流:80A

描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):80A 阈值电压(Vgs(th)):4.0V 导通电阻(RDS(on)@Vgs:6.6mΩ@10V 封装:TO-252
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
G080N06K
商品编号
C26609167
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))8mΩ@10V
耗散功率(Pd)110W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)77nC@10V
输入电容(Ciss)3.408nF
反向传输电容(Crss)212pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型-
输出电容(Coss)247pF

商品特性

  • VDS:60V
  • ID(VGS = 10V时):80A
  • RDS(ON)(VGS = 10V时):8mΩ
  • 经过100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 功率开关
  • DC/DC转换器

数据手册PDF