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G080N06K
耐压:60V 电流:80A
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 阈值电压(Vgs(th))：4.0V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：6.6mΩ@10V 封装：TO-252
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G080N06K
- 商品编号
- C26609167
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.408nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 212pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 247pF |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低反向恢复电荷QRR和软恢复特性，以最小化反向恢复损耗ERR和电压尖峰
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动和开关损耗
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- 高开关频率DC-DC转换-同步整流