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G230P06M实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

G230P06M

P沟道 耐压:60V 电流:48A

描述
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-48A 阈值电压(Vgs(th)):-4.0V 导通电阻(RDS(on)@Vgs:18mΩ@10V 封装:TO-263
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
G230P06M
商品编号
C26566650
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)48A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@10V
耗散功率(Pd)105W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)62nC
输入电容(Ciss)4.505nF
反向传输电容(Crss)238pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)240pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

G230P06M采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS -60V
  • ID(VGS = -10 V时) -48A
  • RDS(ON)(VGS = -10 V时) < 20 mΩ
  • 经过100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 电源开关
  • DC/DC转换器

数据手册PDF