- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 运算放大器 | |
| 放大器数 | - | |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | - | |
| 轨到轨 | - | |
| 增益带宽积(GBW) | - | |
| 输入失调电压(Vos) | 500uV | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 10uV/℃ | |
| 压摆率(SR) | 220V/us | |
| 输入偏置电流(Ib) | 5pA | |
| 输入失调电流(Ios) | 2.5pA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电压噪声密度(eN) | - | |
| 共模抑制比(CMRR) | 104dB | |
| 输入失调电流温漂(Ios TC) | - | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 输出电流 | 4.5A | |
| 工作温度 | - | |
| 单电源电压 | - | |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | - | |
| 功能特性 | 过压保护；去补偿稳定 |
商品概述
PA09是一款高压、高输出电流运算放大器，专为驱动从直流到视频频率范围内的各种负载而优化。通过采用由两个高压晶体管级联的双单片FET输入晶体管，实现了出色的输入精度，从而提供了卓越的共模特性。所有内部电流和电压电平均参考由电流源偏置的齐纳二极管。因此，PA09在宽广的电源电压和温度范围内表现出优异的直流和交流稳定性。 互补的功率MOS输出级确保了高速性能并避免了二次击穿。为了获得线性度，尤其是在低电平下，功率MOS晶体管被偏置在A/B类模式。热关断功能提供全面的过热保护，并将散热器要求限制在仅需耗散正常工作条件下的内部功率损耗。内置限流功能可防止放大器过载。两个内部钳位二极管提供瞬态感性负载反冲保护。外部相位补偿使用户能够在所有增益设置下获得的压摆率和增益带宽积，具有最大的灵活性。对于带负载连续工作，建议使用适当额定值的散热器。 这款混合集成电路采用厚膜（金属陶瓷）电阻、陶瓷电容器和硅半导体芯片，以最大限度地提高可靠性、减小尺寸并提供性能。超声波键合铝线在所有工作温度下提供可靠的互连。CE、8引脚TO-3封装采用气密密封和电气隔离。使用可压缩导热垫圈和/或不正确的安装扭矩将使产品保修失效。
商品特性
- 功率MOS技术 — 5A峰值额定电流
- 高增益带宽积 — 150 MHz
- 非常快的压摆率 — 200 V/μs
- 受保护的输出级 — 热关断
- 优异的线性度 — A/B类输出
- 宽电源电压范围 — ±12V ~ ±40V
- 低偏置电流，低噪声 — FET输入
应用领域
- 视频分配与放大
- 高速偏转电路
- 高达2 MHz的功率传感器
- 同轴线驱动器
- 功率LED或激光二极管激励