商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 三极管(BJT) | |
晶体管类型 | PNP | |
集电极电流(Ic) | 500mA | |
集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
耗散功率(Pd) | 200mW | |
直流电流增益(hFE) | 100@10mA,1V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
特征频率(fT) | 50MHz | |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV@100mA,10mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
射基极击穿电压(Vebo) | 4V |
优惠活动
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起订量:20 个3000个/圆盘
总价金额:
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