MDT10F683P14

MDT10F683/684具有一个13位程序计数器，可以对8K×14的程序存储空间进行寻址。而MDT10F683/684仅在物理上实现了第一个2Kx14（0000h - 07FFh）的存储空间。访问该边界以外的单元将导致实际访问存储器的第一个2Kx14存储空间。复位向量地址为0000h，中断向量地址为0004h。 数据存储器被分为两个存储区（bank），其中包含通用寄存器（GeneralPurposeRegister，GPR）和特殊功能寄存器（SpecialFunctionRegister，SFR）。特殊功能寄存器位于每个存储区开头的32个单元。通用寄存器位于Bank0中的20h - 7Fh和Bank1中的A0h - BFh寄存器单元中，它们以静态RAM的方式实现。Bank1中的寄存器单元F0h - FFh指向Bank0中的地址单元70h - 7Fh。所有其他的RAM均未实现，读取它们时将返回0。 FLASH空间：2K*14位，可经受10万次写操作。 EEPROM空间：256字节，可经受100万次写操作。 SRAM空间：128字节。 具有独立方向控制的14个I/O引脚：PA口6个、PC口8个，高灌/拉电流可直接驱动LED（PA3除外），PA端口引脚电平变化中断，PA端口独立的可编程弱上拉(PA3无上拉)。 Timer0：带8位可编程预分频器的8位定时器/计数器。增强型Timer1：带有预分频器的16位定时器/计数器，外部Timer1门控（计数使能），如果选择了INTOSC模式，或者在LP模式下可选择使用OSC1和OSC2作为Timer1的振荡器。Timer2：带8位周期寄存器、预分频器和后分频器的8位定时器/计数器。 16位捕捉模块，最大分辨率为200ns；16位比较模块，最大分辨率为200ns；带有1路增强型PWM（具有半桥及全桥输出模式），可编程“死区时间”的10位PWM模块，输出信号的最大频率为20kHz。 8通道10位ADC，8个外部ADC输入，ADC参考电压可用软件选择为内部或外部参考（仅MDT10F684），当选择内部参考时，可通过配置寄存器选择片内2V，3V，4V或者VDD作为参考电压。 两个模拟比较器，可在片上编程的比较器的参考电压（CVREF）模块（参考电压一定是小于VDD，最低可以是0V），比较器输入和输出可直接访问。 外部高速时钟：高达20MHz；内部高速时钟：8MHz RC（Fcpu仅支持8MHz、4MHz、2MHz、500KHz、250KHz、125KHz）；内部低速时钟：RC振荡器31KHz。 仅需学习35条指令，除跳转指令外的所有指令都是单周期的，直接、间接和相对寻址模式。

• 高精度内部振荡器，出厂精度校准为+/-1%。
• 可用软件选择的频率范围为125kHz到8MHz。
• 软件可选的31kHz内部振荡器。
• 节能的休眠模式。
• 宽工作电压范围（2.0V到5.5V）。
• 工业级温度范围。
• 上电复位（Powe-onReset，POR）。
• 上电延时定时器（Power-upTimer，PWRT）和振荡器起振定时器（OscillatorStart-upTimer，OST）。
• 带软件控制选择的PED低电压侦测选择(侦测电压有1.7V、2.1V、3.8V可选）。
• 带片上振荡器（振荡器频率可由软件选择，当预分频比最大时其标称值为268秒）并且可软件使能的增强型低电流看门狗定时器（WatchdogTimer，WDT）。
• 带上拉的主复位，可复用为输入引脚。
• 可编程代码保护。
• 待机电流：电压为2.0V时，典型值50nA。
• 工作电流：频率为1MHz、电压为2.0V时，典型值为200uA。
• 看门狗定时器电流：电压为2.0V时，典型值为1uA。