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HD5N65(BEB)
N沟道 MOSFET,电流:5A,耐压:650V
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- 品牌名称
- HL(豪林)
- 商品型号
- HD5N65(BEB)
- 商品编号
- C2689076
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.441克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.1Ω@10V,2.25A | |
| 功率(Pd) | 3.13W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 13.5nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 680pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 10.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
PD57006是一款共源N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它专为高增益、宽带商业和工业应用而设计。在共源模式下，它可在高达1 GHz的频率、28 V的电压下工作。PD57006采用意法半导体（ST）最新的LDMOS技术，安装在首款真正的表面贴装塑料射频功率封装PowerSO - 10RF中，具有出色的增益、线性度和可靠性。PD57006卓越的线性性能使其成为汽车移动无线电的理想解决方案。 PowerSO - 10塑料封装旨在提供高可靠性，是意法半导体首款获得JEDEC认证的高功率表面贴装封装。它针对射频需求进行了专门优化，具备出色的射频性能，且易于组装。
商品特性
- 创新设计
- 卓越的雪崩耐受技术
- 坚固的栅极氧化层技术
- 极低的本征电容
- 出色的开关特性
- 无与伦比的栅极电荷:10.5 nC(典型值)
- 扩展的安全工作区
- 更低的RDS(ON):2.1 Ω(典型值)@VGS = 10V
- 100%雪崩测试