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HD840U(CHA)
500V N沟道 MOSFET,电流:8.0A,耐压:500V
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- 品牌名称
- HL(豪林)
- 商品型号
- HD840U(CHA)
- 商品编号
- C2689026
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.807882克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 750mΩ@10V,4A | |
| 功率(Pd) | 135W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 33nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 26pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 创新全新设计
- 卓越的雪崩耐受技术
- 坚固的栅极氧化层技术
- 极低的固有电容
- 出色的开关特性
- 无与伦比的栅极电荷:25 nC(典型值)
- 扩展的安全工作区
- 更低的RDS(ON):0.75 Ω(典型值)@VGS = 10V
- 100%雪崩测试