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商品参数
参数完善中
商品概述
该器件是一款共源极N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管，专为高增益、宽带商用和工业应用而设计。它在共源极模式下以28 V电压工作，频率可达1 GHz。该器件采用意法半导体（ST）最新的LDMOS技术，安装在首款真正的表面贴装（SMD）塑料射频功率封装PowerSO - 10RF中，具备出色的增益、线性度和可靠性。其卓越的线性度性能使其成为基站应用的理想解决方案。PowerSO - 10塑料封装专为实现高可靠性而设计，是首款获得JEDEC认证的意法半导体高功率表面贴装封装，针对射频需求进行了特别优化，具备出色的射频性能且易于组装。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)
- 功率因数校正 (PFC)