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HD100N03(BAF)
N沟道,电流:100A,耐压:30V
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- 品牌名称
- HL(豪林)
- 商品型号
- HD100N03(BAF)
- 商品编号
- C2689017
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.428克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.1mΩ@10V,20A | |
| 功率(Pd) | 71W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 800mV@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 26nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.999nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 290pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些器件是采用意法半导体（ST）MDmesh™ V技术生产的N沟道FDmesh™ V功率MOSFET，该技术基于一种创新的专有垂直结构。由此生产出的产品具有极低的导通电阻，这在基于硅的功率MOSFET中是无与伦比的，并且凭借其固有的快速恢复体二极管，具备卓越的开关性能。
商品特性
- 提供无铅环保器件
- 低导通电阻(Rds-on),以最小化传导损耗
- 高雪崩电流
应用领域
- 负载开关
- SPMS