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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4Ω@10V,1A | |
| 功率(Pd) | 23W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 11.5nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 430pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 10.5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HP1010E是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
商品特性
- 创新设计
- 卓越的雪崩耐受技术
- 坚固的栅极氧化层技术
- 极低的固有电容
- 出色的开关特性
- 无与伦比的栅极电荷:9.0 nC(典型值)
- 扩展的安全工作区
- 更低的RDS(ON):4.0 Ω(典型值)@VGS = 10V
- 100%雪崩测试