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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 450mΩ@10V,6.5A | |
| 功率 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 38nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.55nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该系列器件采用了超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (Qg) 的极低组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 创新设计
- 卓越的雪崩耐受技术
- 坚固的栅极氧化层技术
- 极低的本征电容
- 出色的开关特性
- 无与伦比的栅极电荷:38 nC(典型值)
- 扩展的安全工作区
- 更低的 RDS(ON):0.45 Ω(典型值)@VGS = 10V
- 100% 雪崩测试
应用领域
- DC/DC 转换器
- 非常适合高频开关和同步整流